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当然这个难度对于华国的大二学生来说,换成除了周,任何一个人来都做不出来。
这不是水平的差距,而是全方位的差距。
不管是教材、教师水平、学习的深度等等,大二和博士生入学考试之间隔着很厚的壁垒。
更别说还要通过全英文作答。
“如果我没能通过考试呢?”
周在电话里反问道。
胡正明笑了笑:“只要你能够证明邮件是你本人写的。
那么我也会帮你搞定转校和奖学金的事情。
只是说你需要来伯克利把本科没有上完的课程补完。”
作为半导体界教父级的人物,在伯克利呆了二十多年时间,想要帮学生搞定奖学金,用轻而易举来形容毫不夸张。
胡正明很欣赏周,不仅仅是因为那封邮件,也是因为对方在沟通中表现出来的坦诚,以及这口流利的英语。
甚至在一些语气词里都和他一样。
周在阿美利肯期间,主要沟通对象之一就是胡正明,口语主要就是在阿美利肯那几年突飞猛进的。
口语表达上二人当然会有相似之处。
周在电话那头笑了笑:“好。”
“mosfet模型可以将em与所有器件参数和偏置电压相关联,描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途,你是如何想到通过电路仿真的预测性来对mosfet进行互连建模?”
跨越数千公里的电话线,两头不仅仅是地理上的距离,更是时间上的距离。
周给胡正明的解答,是胡正明自己在2ooo年的论文,表在2ooo年的ieee集成电路会议论文集上,在胡正明过九百篇论文里被引用次数排名第八。……
周给胡正明的解答,是胡正明自己在2ooo年的论文,表在2ooo年的ieee集成电路会议论文集上,在胡正明过九百篇论文里被引用次数排名第八。
虽然排名不是很高,但是却起到了承上启下的作用。
胡正明最大的贡献是,将半导体的2d结构,研优化出了3d结构,也就是fi。
从196o年到2o1o年左右,基本的平面(2d)mosfet结构一直保持不变,直到进一步增加晶体管密度和降低器件功耗变得不可能。
胡正明在加州大学伯克利分校的实验室早在1995年就看到了这一点。
fi作为第一个3dmosfet,将扁平而宽的晶体管结构变为高而窄的晶体管结构。好处是在更小的占地面积内获得更好的性能,就像在拥挤的城市中多层建筑相对于单层建筑的优势一样。
fi也就是所谓的薄体(thin-body)mosfet,这一概念继续指导设备的开。
它源于这样一种认识,即电流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏,因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制。
fi牢记这种薄体概念。该器件的主体是垂直的硅鳍片,被氧化物绝缘体和栅极金属覆盖,在强栅极控制范围之外没有留下任何硅。fi将漏电流降低了几个数量级,并降低了晶体管工作电压。它还指出了进一步改进的路径:进一步降低厚度。
而电流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏,因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制,这一概念,正是mosfet进行互连建模在实验室进行复现后现的。
周不可能告诉胡正明,这是你自己现的。
不过由于周对于胡正明最重要的论文,都做过精读,对于当时是如何思考,有自己的分析。
这些分析和二十年后的老胡交流过程中,也获得了对方的认可。
本章完
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