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第41章 太高明了（第1页）

听到张君正对国内外现阶段在存储产品技术以及市场方面的情况极为清楚，邱梦生忍不住吃惊地看了张君正一眼。

这个小张博士技术能力和见识格局根本不像他这样还在象牙塔里面的年龄阶段能拥有的，身体里面更像是住着一个在半导体产业里面浸淫了数十年的顶尖技术大神！

不过他心中的震惊情绪也只是一闪而过，心中反倒是觉得能和这样的绝顶天才合作是一件极为幸运的事情！

刘希轮见张君正对自身公司和技术团队在产品技术以及市场动向上有着极为精准的把握，愈觉得自己这次过来是极为值得的！

“小张博士，不知道你在内存颗粒架构的设计上有没有兴趣？”

刘希轮一脸期待地看着张君正说道。

“现在内存颗粒两大主流技术方向无非是沟槽式和堆叠式，不过这个技术领域全球玩家实在是太多了，我宁愿设计研微处理器里面的高sRam芯片也不会去碰这一块。”

张君正连连摇头，他看着刘希轮说道：“我建议华芯国际公司方面在手机在内的移动电子设备里面搭载的低功耗ddR内存颗粒制造工艺技术上重点力，现在这个领域国外企业都没有一个统一的标准，是一个很好的切入点。”

“小张博士，看来你对包括手机这样的电子产品非常看好呀！”

刘希轮笑着说道。

“欧巴罗地区的通信设备商和移动通信网络营运商已经开始部署第三代移动通信网络的建设，这种通信网络的部署会推动支持多媒体手机产品的展，这些应用软件程序越多，对手机产品里面的随机闪存和内存都会提出更高更多的要求。”

张君正开口说道：“手机产品的体积有限，自然导致手机电池容量有限，这种产品天然地对自身随机内存在功耗上要求很苛刻，同时又要求随机内存和存储芯片传输度和响应度更快，而且这种消费级电子产品技术更新度快，出货量又大，在这里面做文章的技术和市场空间还是相当大的。”

他看到刘希轮和邱梦生等人脸上露出了思索的神情，继续说道：“我设计构思的这种闪存架构颗粒用到了这种载流子注入技术，在这个技术基础上继续进行研究的话倒是可以研出以半导体材料为主自旋极化载流子电流源，这样的载流子电流源可以无视铁磁材料和半导体材料界面的问题，在这个基础上可以开出这种新型磁性随机内存器件……”

邱梦生此时惊喜地喊了一声，猛地站起身来激动地大声道：“小张博士，你的这个技术思路简直太神了！你究竟是如何想出来的？”

众人被他突然的举动吓了一下，不过见到邱梦生此时激动万分的样子便知道张君正刚才的话让前者受到了巨大的启！

张君正笑了笑，不过此时不用他说什么，处于高度兴奋当中的邱梦生自己就向刘希轮等人进行了解释。

“小张博士提出来的这种技术思路不用我们耗费巨大的精力去寻找铁磁材料和半导体材料之间的共性材料，可以利用自旋霍尔效应来给半导体薄膜施加电场，通过磁性材料施加变化的磁场，可以诱导出自旋极化电流，所以不存在界面导电率不匹配的问题……”

邱梦生兴奋地说道：“这个技术思路跟之前两种技术思路都不一样，这种技术思路功耗会大幅降低，集成度也可以大幅提高，实在是太高明了！”

刘希轮此时通过邱梦生说出了这种新型磁性随机内存器件一些具体的想法，也是欣喜无比！